什么是IR Drop、成因（电阻压降）、对芯片性能的影响（时序、功能、可靠性）。
PDN组成（稳压模块、PCB、封装、芯片内电源网格）、阻抗特性、目标阻抗概念。
静态IR Drop定义、分析原理（欧姆定律）、静态电流分布、仿真流程。
动态IR Drop定义、L di/dt效应、动态电流波形、仿真流程。
主流EDA工具（RedHawk、Voltus、PrimeRail）、基本操作、输入文件（DEF/LEF/SPEF/VCD）。
拓扑结构（网格、梳状、环状）、金属层选择与线宽线距、通孔（Via）优化。
Decap作用机制、寄生电容与MOS电容、放置策略。
封装寄生参数（RLC）、PCB电源层设计、BGA焊球与C4凸点压降。
动态功耗与静态功耗、翻转率与功耗密度、功耗分析工具（PTPX）。
电流波形提取方法、峰值电流统计特性、最差情况电流场景构建。
电压降对门延迟（K-factor模型）、Liberty电压缩放、时序收敛权衡。
电迁移(EM)与IR Drop、热效应与电流密度、老化效应(BTI/HCI)。
设置分析环境、运行静态分析、解读热力图/表格、定位热点区域。
设置动态分析、导入VCD/SAIF波形、时域电压波动、评估最差跌落点。
加宽电源线、增加电源环、优化通孔阵列、调整金属层分配。
Decap sizing与placement、利用空白区域填充、漏电与面积权衡。
电源开关(Header/Footer)、唤醒电流冲击、分布式与集中式门控。
电压域划分、电平转换器压降、动态电压频率调整(DVFS)影响。
硅通孔(TSV)电阻、微凸点电流密度、中介层电源分配。
同步开关噪声(SSN)、地弹、PDN阻抗与EMI耦合。
Chip-Package-System协同仿真、分布式RLC vs 集总模型、温度影响。
电压降容忍度(<10% VDD)、平均/峰值电流密度限制、动态电压波动范围。
电源网格提取、电流源模型、动态仿真引擎、结果后处理(RedHawk-RAVE)。
流程集成、与Innovus协同、多模式多角(MMMC)分析、功耗与IR Drop联合优化。
层次化分析、与PrimeTime时序耦合、芯片级与系统级联合仿真。
核心区域电压塌陷修复、I/O动态跌落修复、存储器周边压降修复。
时钟门控电流冲击、电源域关断浪涌电流、自适应电压调节(AVS)反馈。
Tcl脚本自动化分析、Python解析结果报告、批量跑不同PVT条件。
DRC/LVS电源网格检查、IR-aware布线、EM-IR联合检查。
先进工艺(3nm以下)IR Drop挑战、AI驱动电源优化、片上电源传感器实时监控。